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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
20
3.4
V GS = -10V
-6.0V
3.2
16
-4.5V
3
2.8
V GS = - 3.5V
2.6
12
2.4
2.2
2
-4.0V
8
-3.5V
1.8
1.6
-4.5V
-5.0V
4
-3.0V
1.4
1.2
-6.0V
-10V
1
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
5
10
15
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I D = -5A
V GS = - 10V
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
T A = 125 o C
I D = -2.5A
0.1
1
0.9
0.08
0.8
0.7
0.6
0.06
0.04
0.02
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 15. On-Resistance Variation with
Temperature.
20
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
16
V DS = -5V
10
V GS = 0V
25 C
T A = -55 o C
o
1
T A = 125 o C
12
8
125 o C
0.1
25 o C
-55 o C
0.01
4
0.001
0
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics.
FDS8960C Rev C1(W)
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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