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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
Electrical Characteristics
(continued)
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ
Max Units
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Q1
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
Q1
8
12
5
16
22
10
ns
ns
Q2
16
29
t d(off)
t f
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Q2
V DD = –15 V, I D = -1 A,
V GS = –10V, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
Q1
23
20
3
37
32
6
ns
ns
Q2
5
10
Q g
Total Gate Charge
Q1
Q1
5.5
7.7
nC
V DS = 15 V, I D = 7 A, V GS = 5 V
Q2
5.7
8
Q gs
Gate-Source Charge
Q2
Q1
Q2
1.8
1.8
nC
Q gd
Gate-Drain Charge
V DS = –15 V, I D = –5 A,V GS = –5 V
Q1
1.8
nC
Drain–Source Diode Characteristics
Q2
2
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q1
1.3
A
Q2
–1.3
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward
Voltage
Diode Reverse Recovery
V GS = 0 V, I S = 1.3 A
V GS = 0 V, I S = –1.3 A
Q1
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
Q1
0.8
–0.8
20
1.2
–1.2
V
nS
Time
I F = 7 A, d iF /d t = 100 A/μs
Q2
17
Q rr
Diode Reverse Recovery
Charge
Q2
I F = -5 A, d iF /d t = 100 A/μs
Q1
Q2
10
5
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) 78°C/W when
mounted on a
0.5 in 2 pad of 2 oz
b) 125°C/W when
mounted on a .02 in 2
pad of 2 oz copper
c) 135°C/W when mounted on a
minimum pad.
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
3. BV(avalanche) Single-Pulse rating is guaranteed by design if device is operated within the UIS SOA boundary of the device.
FDS8960C Rev C1(W)
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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