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参数资料
| 型号： | FDS8960C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 35V 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 570pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS8960CDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ
Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings
E AS
I AS
Drain-Source Avalanche
Energy (Single Pulse)
Drain-Source Avalanche
V DD = 35 V, I D = 7 A, L = 1 mH
V DD = –35 V, I D =–5 A, L = 1 mH
Q1
Q2
Q1
7
24.5
12.5
mJ
mJ
A
Current
Off Characteristics
Q2
–5
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSSF
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage, Forward
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = –250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 28 V, V GS = 0 V
V DS = –28 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
35
–35
31
–40
1
–1
100
V
mV/ ° C
μ A
nA
I GSSR
Gate-Body Leakage, Reverse V GS = –20 V,
V DS = 0 V
–100
nA
I GSSR
I GSSF
Gate-Body Leakage, Forward V GS = 25 V,
Gate-Body Leakage, Reverse V GS = –25 V,
V DS = 0 V
V DS = 0 V
Q2
100
–100
nA
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
Q1
1
2
3
V
V DS = V GS , I D = –250 μA
Q2
–1
–1.8
–3
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
Q1
Q2
–5
4
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
V GS = 10 V, I D = 7 A
Q1
20
24
m Ω
On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 6 A
V GS = 10 V, I D = 7 A, T J = 125 ° C
25
29
32
37
V GS = –10 V, I D = –5 A
V GS = –4.5 V, I D = –4 A
V GS = –10 V, I D = –5 A, T J = 125 ° C
Q2
44
70
61
53
87
79
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 7 A
Q1
23
S
Dynamic Characteristics
V DS = –5 V, I D =–5 A
Q2
9
C iss
Input Capacitance
Q1
Q1
570
pF
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q2
540
C oss
Output Capacitance
Q2
Q1
Q2
126
113
pF
C rss
Reverse Transfer Capacitance V DS = –15 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q1
52
pF
Q2
60
R G
Gate Resistance
f = 1.0 MHz
Q1
2
Ω
FDS8960C Rev C1(W)
Q2
6
www.fairchildsemi.com
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