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参数资料
| 型号： | FDS8962C |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N & P-Channel Power Trench |
| 中文描述： | 7 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SOP-8 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | FDS8962C |
FDS8962C Rev A (W)
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
6
8
10
12
V
G
,
I
D
= 7A
V
DS
= 10V
15V
20V
0
200
400
600
800
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
10
100
1000
t
1
, TI1
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 135
T
A
= 25
/W
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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