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参数资料
| 型号： | FDS8984_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8984_F085DKR |
Typical Characteristics T J
10
= 25°C unless otherwise noted
700
8
600
C ISS
6
4
V DD = 10V
V DD = 20V
V DD = 15V
500
400
300
f = 1MHz
V GS = 0V
C OSS
2
200
0
0
2
4 6
Q g , GATE CHARGE(nC)
8
10
100
0.1
C RSS
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
20
Figure 7. Gate Charge Characteri stics
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
8
7
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 125 C
10
O
O
6
5
4
3
2
1
V GS =4.5V
V GS =10V
1
0.01
0.1
1
10
20
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE (mS)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
3000
10us
1000
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
10
100us
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
1
OPERATION IN THIS
1ms
10ms
100
V GS =10V
I = I 25
125
A
100ms
LIMITED BY r DS(on)
DC
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.1
0.01
0.1
AREA MAY BE
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T A = 25 o C
1 10 100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1s
10
1
-5
SINGLE PULSE
-4 -3 -2 -1 0
t, PULSE WIDTH (s)
1
2
3
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8984 _F085 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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