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参数资料
| 型号： | FDS9926A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9926ADKR |
Typical Characteristics
20
2.4
V GS = 4.5V
2.5V
V GS = 2.0V
2.2
16
2
12
3.5
3.0V
1.8
1.6
8
2.0V
1.4
2.5V
4
1.2
1
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
T A = 125 C
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 6.5A
V GS = 4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D , DIRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.11
I D = 3.25A
0.09
0.07
o
0.05
0.03
T A = 25 o C
0.01
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
125 C
V DS = 5V
o
o
10
V GS = 0V
T A = 125 C
15
10
25 o C
1
0.1
o
25 o C
-55 C
o
0.01
5
0.001
0.0001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
1.5 2 2.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
3
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS9926A Rev E (W)
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PDF描述 |
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