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参数资料
| 型号： | FDT439N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDT439NDKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 4.5V
2
16
3.0V
2.5V
1.8
2.0V
1.6
12
1.4
V GS = 2.0V
8
1.2
2.5V
3.0V
4
1.5V
1
3.5V
4.5V
0
0.8
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
0.14
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.5
I D = 6.3A
V GS = 4.5V
0.12
I D = 3.2A
1.4
0.1
1.3
1.2
0.08
T A = 125 C
1.1
0.06
o
1
0.04
T A = 25 C
0.9
0.8
0.7
0.02
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-To-Source Voltage.
20
100
V GS = 0V
T A = -55 C
25 C
125 C
T A = 125 C
25 C
-55 C
16
12
V DS = 5V
o
o
o
10
1
0.1
o
o
o
8
4
0.01
0.001
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDT439N, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDT457N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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