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参数资料
| 型号： | FGA25N12ANTD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不扩散核武器条约沟道IGBT |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
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PDF描述 |
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参数描述 |
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