- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375795 > FGA25N12ANTD (Fairchild Semiconductor Corporation) 1200V NPT Trench IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FGA25N12ANTD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不扩散核武器条约沟道IGBT |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
7
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 18. Forward Characteristics
Figure 19. Reverse Recovery Current
Figure 20. Stored Charge
Figure 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
100
200
300
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA50N60LS | IGBT |
| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGD3N60LSD | IGBT |
| FGD3N60LSDTF | IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA25N135ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FGA25S125P | 功能描述:IGBT 晶体管 Shorted Anode IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGA26-16B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-16G | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
| FGA26-18B | 制造商:AVC 功能描述: 制造商:AVX Corporation 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。