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参数资料
型号： FGD3N60LSDTF
厂商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： IGBT
中文描述： 6 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： D-PAK, 3 PIN
文件页数： 3/8页
文件大小： 848K
代理商： FGD3N60LSDTF
3
www.fairchildsemi.com
FGD3N60LSD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 3A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
--
1.5
1.9
V
--
1.55
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 3A,
di/dt = 100A/us
V
R
= 200V
--
234
--
ns
--
--
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Current
--
2.64
--
A
--
--
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
309
--
nC
--
--
--
相关PDF资料
PDF描述
FGD3N60LSDTM IGBT
FGH20N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGB20N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGP20N6S2D Switch Mode Power Supply; Output Power:300W; No. of Outputs:1; Output 1 VDC +:5VDC; Output Current 1:60A; Power Supply Mounting:Chassis; Output Current:60A; Output Power Max:300W; Output Voltage:5VDC; Series:JWS RoHS Compliant: Yes
FGB20N6S2DT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
相关代理商/技术参数
参数描述
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FGD3N60UNDF 功能描述:IGBT 晶体管 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGD4536 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:360V, PDP IGBT
FGD4536TM 功能描述:IGBT 晶体管 360V PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGD4536TM_F065 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 360V 125W DPAK
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