- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录430 > FGH20N60UFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT 600V 40A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGH20N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Output Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
60
o
20V
15V
12V
10V
60
o
20V
15V
12V
10V
40
40
20
V GE = 8V
20
V GE = 8V
0
0.0
1.5 3.0 4.5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
6.0
0
0.0
1.5 3.0 4.5
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
6.0
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 4. Transfer Characteristics
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
60
40
20
Common Emitter
V GE = 15V
o
o
60
40
20
Common Emitter
V CE = 20V
o
o
0
0
1 2 3
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
4
0
4
6 8 10
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
12
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 6. Saturation Voltage vs. V GE
T C = -40 C
3.2
2.8
Common Emitter
V GE = 15V
40A
20
16
Common Emitter
o
2.4
12
2.0
1.6
20A
8
1.2
I C = 10A
4
20A
40A
Case Temperature, T C [ C]
0.8
25
50 75 100
o
125
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60UFD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH25N120FTDS | IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 |
| FGH30N60LSDTU | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| FGH40N60SFDTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60SFTU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60SMDF | IGBT 600V 40A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH20N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH20N6S2D | 功能描述:IGBT 晶体管 Comp N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH25N120FTDS | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V 25A Field Stop Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH25T120SMD_F155 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:1200V 25A FS2 TRENCH IGBT - Rail/Tube 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 1200V 25A FS2 TO-247-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT 1200V 50A 428W TO247-3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RAIL / 1200V 25A FS2 Trench IGBT |
| FGH30N120FTD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Field stop trench technology |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。