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参数资料
| 型号： | FGH20N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. V GE
Figure 8. Saturation Voltage vs. V GE
T C = 25 C
T C = 125 C
20
16
12
8
Common Emitter
o
20
16
12
8
Common Emitter
o
4
20A
40A
4
20A
40A
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
0
0
I C = 10A
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate charge Characteristics
T C = 25 C
T C = 25 C
2500
2000
1500
1000
500
C ies
C oes
C res
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
o
15
12
9
6
3
Common Emitter
o
V CC = 100V
300V
200V
0
0.1
1 10
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
30
0
0
20
40 60
Gate Charge, Q g [nC]
80
Figure 11. SOA Characteristics
100
10
100 ? s
1ms
10 ? s
Figure 12. Turn-on Characteristics vs.
Gate Resistance
100
1
10 ms
DC
t r
T C = 25 C
T C = 125 C
0.1
0.01
1
Single Nonrepetitive
Pulse TC = 25oC
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
10
100
1000
10
5
0
10
Common Emitter
t d(on) V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 20A
o
o
20 30 40 50
60
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Gate Resistance, R G [ ? ]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60UFD Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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