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参数资料
| 型号： | FGH20N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 40A |
| 功率 - 最大： | 165W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristics
40
Figure 20. Reverse Current
100
T J = 75 C
T J = 125 C
T C = 125 C
10
o
o
10
o
T J = 25 C
T C = 75 C
1
o
1
0.1
o
T C = 25 C
T C = 75 C
T C = 25 C
o
o
0.01
o
T C = 125 C
0.1
0
1 2 3
Forward Voltage, V F [V]
o
4
1E-3
0
100
200 300 400
Reverse Voltage, V R [V]
500
600
Figure 21. Stored Charge
0.05
60
Figure 22. Reverse Recovery Time
0.04
200A/ ? s
50
di F /dt = 100A/ μ s
40
0.03
di F /dt = 100A/ μ s
30
200A/ ? s
0.02
20
T C = 25 C
T C = 25 C
0.01
0
5
10
15
o
20
10
0
5
10
15
o
20
Forward Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
Figure 23.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
single pulse
P DM
t 1
Duty Factor, D = t1/t2
1E-3
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
t 2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH20N60UFD Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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