参数资料
型号: FQA10N80C_F109
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
产品变化通告: Design/Process Change Notification 26/June/2007
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.1 欧姆 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V
功率 - 最大: 240W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
其它名称: FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA10N80C_F109 Rev. C2
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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