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参数资料
| 型号： | FQA7N80C_F109 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 198W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
150 C
10
25 C
-55 C
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
o
o
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250μs Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250μs Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
4
6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
8
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
4.0
10
3.5
3.0
2.5
V GS = 10V
V GS = 20V
1
10
0
2.0
150 ℃
25 ℃
1.5
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μs Pulse Test
10
1.0
0
3
6
9
12
15
18
-1
0. 2
0. 4
0.6
0. 8
1. 0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
1500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
1000
500
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 6.6A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20
Q G , Total Gate Charge [nC]
25
30
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA7N80C_F109 Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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