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参数资料
| 型号： | FQI27N25TU_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 12.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50 75 100 125
150
T C , CASE TEMPERATURE( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
10
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4 -3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 2. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0
1
1000
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
I = I 2
150 - T C
125
10
SINGLE PULSE
1
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Peak Current Capability
FQB27N25TM_F085/QI27N25TU_F085 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| FQI5N50CTU | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI27P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQI27P06TU | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI28N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI28N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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