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参数资料
| 型号： | FQI27N25TU_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 12.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
550
440
330
I D = 25.5A
T J = 150 o C
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T J = 25 o C
2.8
2.4
2.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
220
1.2
110
0.8
I D = 25.5A
V GS = 10V
0
5
6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 10. Rdson vs Gate Voltage
1.4
V GS = V DS
Figure 11. Normalized Rdson vs Junction
Temperature
1.2
I D = 1mA
1.2
I D = 250 μ A
1.1
1.0
1.0
0.8
0.6
0.9
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE( o C)
200
0.8
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 12. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
10000
Figure 13. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 27A
V DD = 100V
V DD = 80V
1000
C iss
C oss
8
6
V DD = 120V
4
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
2
10
0.1
1
10
100
0
0
10
20 30 40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 14. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 15. Gate Charge vs Gate to Source
Voltage
FQB27N25TM_F085/QI27N25TU_F085 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| FQI5N50CTU | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI27P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQI27P06TU | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI28N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI28N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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