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参数资料
| 型号： | FQI27N25TU_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 12.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
100
10
100us
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
STARTING T J = 25 o C
1
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY rDS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
1ms
10ms
100ms
10
STARTING T J = 125 o C
0.01
1
TC = 25oC
10 100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1000
1
1E-3 0.01 0.1 1 10 100 1000
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 4. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 5. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
200
100
V GS = 0 V
V DD = 20V
10
T J = 150 o C
10
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
2
4 6 8 10
12
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Transfer Characteristics
80
80 μ s PULSE WIDTH
Tj=25 o C
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 7. Forward Diode Characteristics
60
80 μ s PULSE WIDTH
Tj=150 o C
5.5V
60
40
V GS
15V Top
10V
8V
7V
6V Bottom
40
20
V GS
15V Top
10V
8V
7V
6V
5.5V
5V Bottom
20
0
0
6V
4 8 12 16 20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
0
5V
4 8 12 16
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Saturation Characteristics
FQB27N25TM_F085/QI27N25TU_F085 Rev. C1
4
Figure 9.
Saturation Characteristics
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| FQI5N50CTU | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI27P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQI27P06TU | 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI28N15 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET |
| FQI28N15TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
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