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参数资料
| 型号： | FQN1N60CBU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS
10
150 C
-55 C
0
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
0
o
o
10
25 C
-1
o
10
10
10
10
10
-2
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-1
2
4
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
25
V GS = 10V
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
20
15
10
V GS = 20V
10
0
150 ℃
5
※ Note : T J = 25 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0
0. 0
0.5
1.0
1.5
2. 0
2.5
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
250
200
150
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
8
6
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
100
50
C rss
※ Notes ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 1.1A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
1
2 3 4
Q G , Total Gate Charge [nC]
5
6
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FQN1N60C Rev C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQNL2N50BBU | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| FQP10N20CTSTU | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| FQP12P20 | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 |
| FQP13N06L | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 |
| FQP13N10L | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQN1N60CTA | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQN1N60CTAG | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQNL1N50B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQNL1N50BBU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQNL1N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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