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参数资料
| 型号： | FQN1N60CBU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 150mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
(Continued)
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μA
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 0.15 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
0.3
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10
0
1 ms
100 μ s
0.2
10 ms
100 ms
0.1
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
DC
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
3
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
2
D = 0 .5
10
1
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
0
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
※ N o te s :
L
1 . Z θ J (t) = 5 0 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T L = P D M * Z θ J ( L t)
10
- 1
10
- 5
10
-4
10
- 3
10
- 2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
?20 0 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FQN1N60C Rev C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQNL2N50BBU | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| FQP10N20CTSTU | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| FQP12P20 | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 |
| FQP13N06L | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 |
| FQP13N10L | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQN1N60CTA | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQN1N60CTAG | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQNL1N50B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FQNL1N50BBU | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQNL1N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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