- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录623 > FSB50550TB (Fairchild Semiconductor)MODULE SPM 500V 1.2A SPM23-AC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FSB50550TB |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM 500V 1.2A SPM23-AC |
| 标准包装： | 15 |
| 系列： | SPM® |
| 类型： | FET |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电流： | 1.8A |
| 电压： | 500V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | 23-DIP 模块 |
Absolute Maximum Ratings
Inverter Part (each MOSFET unless otherwise specified.)
Symbol
V DSS
*I D 25
*I D 80
Parameter
Drain-Source Voltage of Each MOSFET
Each MOSFET Drain Current, Continuous T C = 25°C
Each MOSFET Drain Current, Continuous T C = 80°C
Conditions
Rating
500
1.8
1.2
Unit
V
A
A
*I DP
*P D
Each MOSFET Drain Current, Peak
Maximum Power Dissipation
T C = 25°C, PW < 100 ? s
T C = 25°C, For Each MOSFET
3.5
4.5
A
W
Control Part (each HVIC unless otherwise specified.)
Symbol
V CC
V BS
V IN
Parameter
Control Supply Voltage
High-side Bias Voltage
Input Signal Voltage
Conditions
Applied Between V CC and COM
Applied Between V B and V S
Applied Between IN and COM
Rating
20
20
-0.3 ~ V CC + 0.3
Unit
V
V
V
Thermal Resistance
Symbol
R ? JC
Parameter
Junction to Case Thermal Resistance
Conditions
Each MOSFET under Inverter Oper-
ating Condition (1st Note 1)
Rating
8.6
Unit
°C/W
Total System
Symbol
T J
T STG
V ISO
Parameter
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
Conditions
60 Hz, Sinusoidal, 1 Minute, Con-
nect Pins to Heat Sink Plate
Rating
-20 ~ 150
-50 ~ 150
1500
Unit
°C
°C
V rms
1st Notes:
1. For the measurement point of case temperature T C , please refer to Figure 4.
2. Marking “ * “ is calculation value or design factor.
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB50550T Rev. C4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB50550US | MODULE SPM 500V 1.2A SPM23 |
| FSB50550UTD | MOD SPM 500V 2A SPM23-ED |
| FSB50550U | IC SMART POWER MOD 2A SPM22-AD |
| FSB50825US | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD |
| FSB52006S | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB50550TB2 | 功能描述:IGBT 模块 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550U | 功能描述:IGBT 模块 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550US | 功能描述:IGBT 模块 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550UTD | 功能描述:IGBT 模块 Smart Power Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50660SF | 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。