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参数资料
| 型号： | FSB50550TB |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SPM 500V 1.2A SPM23-AC |
| 标准包装： | 15 |
| 系列： | SPM® |
| 类型： | FET |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电流： | 1.8A |
| 电压： | 500V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | 23-DIP 模块 |
Detailed Package Outline Drawings
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?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSB50550T Rev. C4
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB50550US | MODULE SPM 500V 1.2A SPM23 |
| FSB50550UTD | MOD SPM 500V 2A SPM23-ED |
| FSB50550U | IC SMART POWER MOD 2A SPM22-AD |
| FSB50825US | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD |
| FSB52006S | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB50550TB2 | 功能描述:IGBT 模块 1.2A 500V SPM5 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550U | 功能描述:IGBT 模块 500V/1.2A Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550US | 功能描述:IGBT 模块 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550UTD | 功能描述:IGBT 模块 Smart Power Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50660SF | 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube |
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