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参数资料
| 型号： | FSB50550U |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART POWER MOD 2A SPM22-AD |
| 标准包装： | 15 |
| 系列： | SPM® |
| 类型： | FET |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 2A |
| 电压： | 500V |
| 电压 - 隔离： | 1500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM22AD |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
V IN
I rr
V IN
V DS
100% of I D
120% of I D
I D
10% of I D
I D
V DS
t ON
t rr
(a) Turn-on
t OFF
(b) Turn-off
Figure 4. Switching Time Definition
R EH
V CC
R BS
I D
VCC
HIN
LIN
COM
VB
HO
VS
LO
+
V DS
-
L
V DC
C BS
One-leg Diagram of SPM
Figure 5. Switching and RBSOA(Single-pulse) Test Circuit (Low-side)
Input Signal
UV Protection
Status
Low-side Supply, V CC
RESET
UV CCD
DETECTION
UV CCR
RESET
MOSFET Current
Figure 6. Undervoltage Protection (Low-side)
Input Signal
UV Protection
Status
High-side Supply, V BS
RESET
UV BSD
DETECTION
UV BSR
RESET
MOSFET Current
Figure 7. Undervoltage Protection (High-side)
FSB50550U Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSB50825US | IC POWER MOD SPM 250V 4A SPM23BD |
| FSB52006S | MODULE SPM SMART PWR SPM23-BA |
| FSBB15CH60C | IC POWER MOD SPM 600V SPM27CC |
| FSBB15CH60F | MODULE SPM 600V SPM27-CA |
| FSBB20CH60CL | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB50550US | 功能描述:IGBT 模块 500V, 1.2A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50550UTD | 功能描述:IGBT 模块 Smart Power Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB50660SF | 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube |
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| FSB50760SF | 功能描述:分立半导体模块 Motion SPM 5 SuperFET Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 产品: 类型: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Tube |
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