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参数资料
| 型号： | FSB50825US |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | FSB50825US |
6
www.fairchildsemi.com
FSB50825US Rev. A
FSB50825US
Smart
Powe
rMod
u
le
(SPM)
Figure 8. Example of Application Circuit
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
(1) COM
(2) V
B(U)
(3) V
CC(U)
(4) IN
(UH)
(5) IN
(UL)
(6) V
S(U)
(7) V
B(V)
(8) V
CC(V)
(9) IN
(VH)
(10) IN
(VL)
(11) V
S(V)
(12) V
B(W)
(13) V
CC(W)
(14) IN
(WH)
(15) IN
(WL)
(16) V
S(W)
(17) P
(18) U
(19) N
U
(20) N
V
(21) V
(22) N
W
(23) W
Mic
o
m
C
1
R
1
R
2
15-V
Supply
M
C
3
V
DC
R
1
R
1
C
1
C
1
C
2
C
2
C
2
R
3
R
4
C
4
R
5
C
5
For 3-phase current sensing and protection
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSDS020-557GG | SIP20, IC SOCKET |
| FSG-15N1A | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, SSS4 |
| FSH2050A | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, QCC16 |
| FSH250300-100 | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 150 MHz, QCC36 |
| FSH250300-1M | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 3000 MHz, QCC36 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB52006S | 功能描述:IGBT 模块 60V 1A 15kHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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