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参数资料
| 型号： | FSB50825US |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | FSB50825US |
7
www.fairchildsemi.com
FSB50825US Rev. A
FSB50825US
Smart
Powe
rMod
u
le
(SPM)
Detailed Package Outline Drawings
#1
#16
17
.90
12
.3
0
2.
80
15*1.778=26.67
1.30
13.34±0.30
15.60
7.80
4.43
2.48
LAND PATTERN RECOMMENDATIONS
0.60±0.10
Max 1.00
(1.165)
15*1.778=26.67±0.30
(-)
(+)
12
.00
±0
.2
0
29.00±0.20
0.60±0.10
Max 1.00
(1.
8
0
)
(1.
3
0
)
(2.275)
4x3.90=15.60±0.30
1.95
#1
#16
#17
#23
2x3.90=7.80±0.30
0.
5
0
8
0.1
5
+0
.1
0
-0
.1
5
5°±
3°
1.50±0.20
(2.50)
(1
.30)
GAGE PLANE
Ma
x
3.5
0
12.23±0.30
13.13±0.30
13.34±0.30
SEATING PLANE
(1.
8
0
)
3.
10
±0
.2
0
(1
.00)
17.00±0.20
0
.5
0
+
0
.1
0
-0
.0
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FSDS020-557GG | SIP20, IC SOCKET |
| FSG-15N1A | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, SSS4 |
| FSH2050A | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, QCC16 |
| FSH250300-100 | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 150 MHz, QCC36 |
| FSH250300-1M | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 3000 MHz, QCC36 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSB52006S | 功能描述:IGBT 模块 60V 1A 15kHz RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSB560 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor |
| FSB560_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| FSB560A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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