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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
| 其它名称： | FSBB20CH60-ND FSBB20CH60FS FSBB20CH60_NL FSBB20CH60_NL-ND |
Integrated Power Functions
? 600 V - 20 A IGBT inverter for three-phase DC / AC power conversion (please refer to Figure 3)
Integrated Drive, Protection and System Control Functions
? For inverter high-side IGBTs: gate drive circuit, high-voltage isolated high-speed level shifting
control circuit Under-Voltage Lock-Out Protection (UVLO)
Note: Available bootstrap circuit example is given in Figures 10 and 11.
? For inverter low-side IGBTs: gate drive circuit, Short-Circuit Protection (SCP)
control supply circuit Under-Voltage Lock-Out Protection (UVLO)
? Fault signaling: corresponding to UVLO (low-side supply) and SC faults
? Input interface: active-HIGH interface, works with 3.3 / 5 V logic, Schmitt-trigger input
Pin Configuration
13.7
(1) V CC(L)
(2) COM
(3) IN (UL)
(4) IN (VL)
(21) N U
(22) N V
(5) IN (WL)
(6) V FO
(7) C FOD
(8) C SC
19.2
(23) N W
(9) IN (UH)
(10) V CC(UH)
(11) V B(U)
(12) V S(U)
(13) IN (VH)
(14) V CC(VH)
(15) V B(V)
(16) V S(V)
(17) IN (WH)
(18) V CC(WH)
(19) V B(W)
(20) V S(W)
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60 Rev. C6
(24) U
(25) V
(26) W
(27) P
Figure 2. Top View
2
Case Temperature (T C )
Detecting Point
DBC Substrate
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1450-08CP | 8 CH. L-C FILTER W/ESD WLCSP20 |
| FSBF15CH60BT | MODULE SPM 600V 15A 3PH SPM27-JA |
| AOCJY4A-10.000MHZ-F-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| AOCJY4A-10.000MHZ-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| VPT18-2780 | TRANSF 18VCT 2.78A WORLD CLASS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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