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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
| 其它名称： | FSBB20CH60-ND FSBB20CH60FS FSBB20CH60_NL FSBB20CH60_NL-ND |
Electrical Characteristics (T J = 25°C, unless otherwise specified.)
Control Part
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I QCCL
Quiescent V CC Supply
V CC = 15 V
V CC(L) - COM
-
-
23
mA
Current
IN (UL, VL, WL) = 0 V
I QCCH
V CC = 15 V
V CC(UH) , V CC(VH) , V CC(WH)
-
-
100
? A
IN (UH, VH, WH) = 0 V
- COM
I QBS
Quiescent V BS Supply Current
V BS = 15 V
V B(U) - V S(U) , V B(V) - V S(V) ,
-
-
500
? A
IN (UH, VH, WH) = 0 V
V B(W) - V S(W)
V FOH
Fault Output Voltage
V SC = 0 V, V FO Circuit: 4.7 k ? to 5 V Pull-up
4.5
-
-
V
V FOL
V SC(ref)
UV CCD
V SC = 1 V, V FO Circuit: 4.7 k ? to 5 V Pull-up
Short Circuit Current Trip Level V CC = 15 V (2nd Note 4)
Supply Circuit Under-Voltage Detection Level
-
0.45
10.7
-
0.50
11.9
0.8
0.55
13.0
V
V
V
UV CCR
UV BSD
UV BSR
t FOD
V IN(ON)
V IN(OFF)
Protection
Fault-out Pulse Width
ON Threshold Voltage
OFF Threshold Voltage
Reset Level
Detection Level
Reset Level
C FOD = 33 nF (2nd Note 5)
Applied between IN (UH) , IN (VH) , IN (WH) , IN (UL) ,
IN (VL) , IN (WL) - COM
11.2
10.1
10.5
1.0
3.0
-
12.4
11.3
11.7
1.8
-
-
13.2
12.5
12.9
-
-
0.8
V
V
V
ms
V
V
2nd Notes:
4. Short-circuit protection is functioning only at the low-sides.
5. The fault-out pulse width t FOD depends on the capacitance value of C FOD according to the following approximate equation: C FOD = 18.3 x 10 -6 x t FOD [F]
Recommended Operating Conditions
Symbol
V PN
V CC
Parameter
Supply Voltage
Control Supply Voltage
Conditions
Applied between P - N U , N V , N W
Applied between V CC(UH) , V CC(VH) , V CC(WH) ,
Min.
-
13.5
Typ.
300
-
Max.
400
16.5
Unit
V
V
V CC(L) - COM
V BS
High-Side Bias Voltage
Applied between V B(U) - V S(U) , V B(V) - V S(V) ,
13
-
18.5
V
V B(W) - V S(W)
dV CC / dt, Control Supply Variation
-1
-
1
V / ? s
dV BS / dt
t dead
Blanking Time for Preventing For Each Input Signal
2.5
-
-
? s
Arm-Short
f PWM
V SEN
PWM Input Signal
Voltage for Current Sensing
-20 ? C ?? T C ? 100°C, -20 ? C ?? T J ?? 125°C
Applied between N U , N V , N W - COM
-
-4
-
20
4
kHz
V
(Including Surge Voltage)
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60 Rev. C6
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1450-08CP | 8 CH. L-C FILTER W/ESD WLCSP20 |
| FSBF15CH60BT | MODULE SPM 600V 15A 3PH SPM27-JA |
| AOCJY4A-10.000MHZ-F-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| AOCJY4A-10.000MHZ-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| VPT18-2780 | TRANSF 18VCT 2.78A WORLD CLASS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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