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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
| 其它名称： | FSBB20CH60-ND FSBB20CH60FS FSBB20CH60_NL FSBB20CH60_NL-ND |
Internal Equivalent Circuit and Input/Output Pins
P (27)
(19) V B(W )
(18) V CC(W H)
VB
VCC
OUT
(17) IN (W H)
(20) V S(W )
(15) V B(V)
(14) V CC(VH)
(13) IN (VH)
(16) V S(V)
(11) V B(U)
(10) V CC(UH)
(9) IN (UH)
(12) V S(U)
COM
IN
VB
VCC
COM
IN
VB
VCC
COM
IN
VS
OUT
VS
OUT
VS
W (26)
V (25)
U (24)
(8) C SC
(7) C FO D
(6) V FO
C(SC)
C(FOD)
VFO
OUT(W L)
N W (23)
(5) IN (W L)
IN(W L) OUT(VL)
(4) IN (VL)
(3) IN (UL)
(2) CO M
(1) V CC(L)
IN(VL)
IN(UL)
COM
OUT(UL)
N V (22)
VCC
V SL
N U (21)
Figure 3. Internal Block Diagram
1st Notes:
1. Inverter low-side is composed of three IGBTs, freewheeling diodes for each IGBT, and one control IC. It has gate drive and protection functions.
2. Inverter power side is composed of four inverter DC-link input terminals and three inverter output terminals.
3. Inverter high-side is composed of three IGBTs, freewheeling diodes, and three drive ICs for each IGBT.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60 Rev. C6
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1450-08CP | 8 CH. L-C FILTER W/ESD WLCSP20 |
| FSBF15CH60BT | MODULE SPM 600V 15A 3PH SPM27-JA |
| AOCJY4A-10.000MHZ-F-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| AOCJY4A-10.000MHZ-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| VPT18-2780 | TRANSF 18VCT 2.78A WORLD CLASS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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