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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SMART POWER MODULE 20A SPM27-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
| 其它名称： | FSBB20CH60-ND FSBB20CH60FS FSBB20CH60_NL FSBB20CH60_NL-ND |
Pin Descriptions
Pin Number
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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26
27
Pin Name
V CC(L)
COM
IN (UL)
IN (VL)
IN (WL)
V FO
C FOD
C SC
IN (UH)
V CC(UH)
V B(U)
V S(U)
IN (VH)
V CC(VH)
V B(V)
V S(V)
IN (WH)
V CC(WH)
V B(W)
V S(W)
N U
N V
N W
U
V
W
P
Pin Description
Low-Side Common Bias Voltage for IC and IGBTs Driving
Common Supply Ground
Signal Input for Low-Side U-Phase
Signal Input for Low-Side V-Phase
Signal Input for Low-Side W-Phase
Fault Output
Capacitor for Fault Output Duration Selection
Capacitor (Low-pass Filter) for Short-Circuit Current Detection Input
Signal Input for High-Side U-Phase
High-Side Bias Voltage for U-Phase IC
High-Side Bias Voltage for U-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for U-Phase IGBT Driving
Signal Input for High-Side V-Phase
High-Side Bias Voltage for V-Phase IC
High-Side Bias Voltage for V-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for V-Phase IGBT Driving
Signal Input for High-Side W Phase
High-Side Bias Voltage for W-Phase IC
High-Side Bias Voltage for W-Phase IGBT Driving
High-Side Bias Voltage Ground for W-Phase IGBT Driving
Negative DC-Link Input for U-Phase
Negative DC-Link Input for V-Phase
Negative DC-Link Input for W-Phase
Output for U-Phase
Output for V-Phase
Output for W-Phase
Positive DC-Link Input
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60 Rev. C6
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM1450-08CP | 8 CH. L-C FILTER W/ESD WLCSP20 |
| FSBF15CH60BT | MODULE SPM 600V 15A 3PH SPM27-JA |
| AOCJY4A-10.000MHZ-F-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| AOCJY4A-10.000MHZ-SW | OSC OCXO 10.0MHZ 5.0V SINEWAVE |
| VPT18-2780 | TRANSF 18VCT 2.78A WORLD CLASS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FSBB20CH60B | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60BT | 功能描述:IGBT 模块 600V -20A 3-phase RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60C | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CL | 功能描述:IGBT 模块 20A, Motion-SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60CT | 功能描述:IGBT 模块 600V 20A SPM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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