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参数资料
| 型号： | GS842Z18CB-250T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| 封装： | FPBGA-119 |
| 文件页数： | 7/29页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | GS842Z18CB-250T |
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GS842Z18CB/GS842Z36CB
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 8/2011
15/29
2011, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD VIN VIH
0 V
V
IN V
IH
–
1 uA
–
1 uA
100 uA
FT, ZQ Input Current
IIN2
VDD VIN VIL
0 V
V
IN V
IL
–
100 uA
–
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-166
-150
-100
Un
it
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
VIH or VIL
Output open
(x32/
x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
195
30
215
30
170
25
190
25
160
25
180
25
140
20
160
20
120
15
140
15
mA
Flow
Through
IDD
IDDQ
155
25
175
25
140
20
160
20
135
20
155
20
130
15
150
15
110
15
130
15
mA
(x18)
Pipeline
IDD
IDDQ
180
15
200
15
155
15
175
15
140
10
160
10
130
10
150
10
110
10
130
10
mA
Flow
Through
IDD
IDDQ
145
15
165
15
130
10
150
10
125
15
145
15
120
8
140
8
110
10
130
10
mA
Standby
Current
ZZ
VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
25
45
25
45
25
45
25
45
25
45
mA
Flow
Through
ISB
25
45
25
45
25
45
25
45
25
45
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
VIH or VIL
—
Pipeline
IDD
65
85
65
85
65
85
60
80
60
80
mA
Flow
Through
IDD
65
85
65
85
65
85
60
80
60
80
mA
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