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参数资料
| 型号： | GS8644Z18GE-225T |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 6/31页 |
| 文件大小： | 1172K |
| 代理商： | GS8644Z18GE-225T |
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GS8644Z18E/GS8644Z36E
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05b 5/2010
14/31
2003, GSI Technology
20% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
8
10
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
12
14
pF
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
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