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参数资料
| 型号： | GTS217E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | GTS217E |
GTS217E
Page: 1/4
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2006/12/25B
G
G T
T S
S 221177E
E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GTS217E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
-
1.20
E
6.20
6.60
A1
0.05
0.15
E1
4.30
4.50
b
0.19
0.30
e
0.65 BSC
c
0.09
0.20
L
0.45
0.75
D
2.90
3.10
S
0°
8°
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±12
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
7
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
5.7
A
Pulsed Drain Current1
IDM
30
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
1.5
W
Linear Derating Factor
0.012
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Rthj-a
83
: /W
BVDSS
20V
RDS(ON)
22m
ID
7A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GTS6923 | P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODE POWER MOSFET |
| GTS9922E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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