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参数资料
| 型号： | GTS217E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | GTS217E |
GTS217E
Page: 3/4
ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2006/12/25B
Characteristics Curve
0.00001
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0.01
0.1
1
10
Fig 5. On-Resistance
v.s. Gate-Source Voltage
Fig 6. Body Diode Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Drain
Current and Gate Voltage
Fig 4. On-Resistance v.s.
Junction Temperature
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