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参数资料
| 型号： | HFA3101B96 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TRANS ARRAY NPN GILBERT 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 频率： | 0Hz ~ 10GHz |
| 混频器数目： | 1 |
| 噪音数据： | 1.7dB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
HFA3101
PSPICE Model for a 3 μ m x 50 μ m Transistor
.Model NUHFARRY NPN
+ (IS = 1.840E-16
+ VAR = 4.500E+00
+ IKF = 5.400E-02
+ NC = 1.800E+00
+ MJC = 2.400E-01
+ MJE = 5.100E-01
+ ITF = 3.500E-02
+ XCJC = 9.000E-01
+ RE = 1.848E+00
XTI = 3.000E+00
BF = 1.036E+02
XTB = 0.000E+00
IKR = 5.400E-02
VJC = 9.700E-01
VJE = 8.690E-01
XTF = 2.300E+00
CJS = 1.689E-13
RB = 5.007E+01
EG = 1.110E+00
ISE = 1.686E-19
BR = 1.000E+01
RC = 1.140E+01
FC = 5.000E-01
TR = 4.000E-09
VTF = 3.500E+00
VJS = 9.982E-01
RBM = 1.974E+00
VAF = 7.200E+01
NE = 1.400E+00
ISC = 1.605E-14
CJC = 3.980E-13
CJE = 2.400E-13
TF = 10.51E-12
PTF = 0.000E+00
MJS = 0.000E+00
KF = 0.000E+00
+ AF = 1.000E+00)
Common Emitter S-Parameters of 3 μ m x 50 μ m Transistor
FREQ. (Hz)
|S 11 |
PHASE(S 11 )
|S 12 |
PHASE(S 12 )
|S 21 |
PHASE(S 21 )
|S 22 |
PHASE(S 22 )
V CE = 5V and I C = 5mA
1.0E+08
2.0E+08
3.0E+08
4.0E+08
5.0E+08
6.0E+08
7.0E+08
8.0E+08
9.0E+08
1.0E+09
1.1E+09
1.2E+09
1.3E+09
1.4E+09
1.5E+09
1.6E+09
1.7E+09
1.8E+09
1.9E+09
2.0E+09
2.1E+09
2.2E+09
2.3E+09
2.4E+09
2.5E+09
2.6E+09
2.7E+09
0.83
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
0.50
0.46
0.42
0.39
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.27
0.25
0.24
0.23
0.22
0.21
0.20
0.20
0.19
0.18
0.18
0.17
-11.78
-22.82
-32.64
-41.08
-48.23
-54.27
-59.41
-63.81
-67.63
-70.98
-73.95
-76.62
-79.04
-81.25
-83.28
-85.17
-86.92
-88.57
-90.12
-91.59
-92.98
-94.30
-95.57
-96.78
-97.93
-99.05
-100.12
1.41E-02
2.69E-02
3.75E-02
4.57E-02
5.19E-02
5.65E-02
6.00E-02
6.27E-02
6.47E-02
6.63E-02
6.75E-02
6.85E-02
6.93E-02
7.00E-02
7.05E-02
7.10E-02
7.13E-02
7.17E-02
7.19E-02
7.21E-02
7.23E-02
7.25E-02
7.27E-02
7.28E-02
7.29E-02
7.30E-02
7.31E-02
78.88
68.63
59.58
51.90
45.50
40.21
35.82
32.15
29.07
26.45
24.19
22.24
20.53
19.02
17.69
16.49
15.41
14.43
13.54
12.73
11.98
11.29
10.64
10.05
9.49
8.96
8.47
11.07
10.51
9.75
8.91
8.10
7.35
6.69
6.11
5.61
5.17
4.79
4.45
4.15
3.89
3.66
3.45
3.27
3.10
2.94
2.80
2.68
2.56
2.45
2.35
2.26
2.18
2.10
168.57
157.89
148.44
140.36
133.56
127.88
123.10
119.04
115.57
112.55
109.91
107.57
105.47
103.57
101.84
100.26
98.79
97.43
96.15
94.95
93.81
92.73
91.70
90.72
89.78
88.87
88.00
0.97
0.93
0.86
0.79
0.73
0.67
0.62
0.57
0.53
0.50
0.47
0.45
0.43
0.41
0.40
0.39
0.38
0.37
0.36
0.35
0.35
0.34
0.34
0.33
0.33
0.33
0.33
-11.05
-21.35
-30.44
-38.16
-44.59
-49.93
-54.37
-58.10
-61.25
-63.96
-66.31
-68.37
-70.19
-71.83
-73.31
-74.66
-75.90
-77.05
-78.12
-79.13
-80.09
-80.99
-81.85
-82.68
-83.47
-84.23
-84.97
3-3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGT1S10N120BNS | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB |
| HGT1S12N60A4DS | IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK |
| HGT1S20N60C3S9A | IGBT UFS N-CHAN 600V TO-263AB |
| HGT1S7N60C3DS | IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB |
| HGTD1N120BNS9A | IGBT NPT N-CH 1200V 5.3A TO252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HFA3101BZ | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| HFA3101BZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR ARRAY |
| HFA3101BZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY GILBERT 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY, GILBERT |
| HFA3101BZ96 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| HFA3102 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:Dual Long-Tailed Pair Transistor Array |
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