- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录438 > HGTG20N60A4D (Fairchild Semiconductor)IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HGTG20N60A4D |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 300 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | HGTG20N60A4D-ND HGTG20N60A4DFS HGTG20N60A4D_NL HGTG20N60A4D_NL-ND |
HGTG20N60A4D
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
120
110
100
90
80
R G = 3 Ω , L = 500 μ H, V CE = 390V
V GE = 12V, V GE = 15V, T J = 125 o C
80
72
64
56
48
40
R G = 3 Ω , L = 500 μ H, V CE = 390V
T J = 125 o C, V GE = 12V OR 15V
T J = 25 o C, V GE = 12V OR 15V
70
V GE = 12V, V GE = 15V, T J = 25 o C
32
24
60
5
10
15
20
25
30
35
40
16
5
10
15
20
25
30
35
40
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11. TURN-OFF DELAY TIME vs COLLECTOR TO
EMITTER CURRENT
I CE , COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12. FALL TIME vs COLLECTOR TO EMITTER
CURRENT
240
200
160
120
80
40
DUTY CYCLE < 0.5%, V CE = 10V
PULSE DURATION = 250 μ s
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J = -55 o C
16
14
12
10
8
6
4
2
I o
I G(REF) = = 1mA, R L L = = 15 Ω , , T J J = 25 o C
V CE = 600V
V CE = 400V
V CE = 200V
0
6
7
8
9
10
11
12
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 13. TRANSFER CHARACTERISTIC
Q G , GATE CHARGE (nC)
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS
1.8
1.6
R G = 3 Ω , L = 500 μ H, V CE = 390V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
10
T J = 125 o C, L = 500 μ H, V CE = 390V, V GE = 15V
E TOTAL = E ON2 + E OFF
1.4
1.2
1.0
I CE = 30A
I CE = 30A
0.8
0.6
0.4
I CE = 20A
I CE = 10A
1
I CE = 20A
I CE = 10A
0.2
0
25
50
75
100
125
150
0.1
3
10
100
1000
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 15. TOTAL SWITCHING LOSS vs CASE
TEMPERATURE
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
FIGURE 16. TOTAL SWITCHING LOSS vs GATE RESISTANCE
HGTG20N60A4D Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG20N60B3D | IGBT N-CH UFS 600V 20A TO-247 |
| HGTG20N60B3 | IGBT UFS N-CHAN 600V 40A TO-247 |
| HGTG27N120BN | IGBT NPT N-CH 1200V 72A TO-247 |
| HGTG30N60A4D | IGBT N-CH SMPS 600V 60A TO-247 |
| HGTG30N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTG20N60A4D | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247 |
| HGTG20N60A4D_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| HGTG20N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTG20N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBTN CH600V40ATO-247 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT,N CH,600V,40A,TO-247 |
| HGTG20N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。