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参数资料
| 型号： | HMBT8550 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延平面晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | HMBT8550 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6813
Issued Date : 1997.08.11
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 2/3
HMBT8550
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
h
Saturation Voltage & Collector Current
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
S
V
BE(sat)
@ I
C
=10I
B
V
CE(sat)
@I
C
=10I
B
On Voltage & Collector Current
100
1000
10000
1
10
100
1000
10000
Collector Current (mA)
O
V
BE(on)
@ V
CE
=1V
Cutoff Frequency & Collector Current
10
100
1000
1
10
Collector Current (mA)
100
1000
C
V
CE
=10V
Capcitance & Reverse-Biased Voltage
1
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Forward Voltage (V)
C
PT=100ms
PT=1s
PT=1ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| HMBT8599 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HMBT8599 | 制造商:HSMC 制造商全称:HSMC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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| HMBTA13 | 制造商:HSMC 制造商全称:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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