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参数资料
| 型号： | HTIP102 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | HTIP102 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6734
Issued Date : 1995.02.08
Revised Date : 2002.02.26
Page No. : 2/4
HTIP102
HSMC Product Specification
Characteristics Curve
Current Gain & Collector Current
1
10
100
1000
10000
100000
1
10
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
h
25
o
C
125
o
C
75
o
C
hFE @ V
CE
=4V
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
10000
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
CE(sat)
@ I
C
=500I
B
125
o
C
75
o
C
25
o
C
Saturation Voltage & Collector Current
100
1000
10000
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
S
V
CE(sat)
@ I
C
=100I
B
125
o
C
75
o
C
25
o
C
ON Voltage & Collcetor Current
100
1000
10000
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
O
V
BE(ON)
@ V
CE
=4V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Switching Time & Collector Current
0.1
1
10
1
10
Collector Current (A)
S
Tstg
V
CC
=30V, I
C
=250I
B1
=-250I
B2
Tf
Ton
Capacitance & Reverse-Biased Voltage
10
100
1000
0.1
1
10
100
Reverse-Biased Voltage (V)
C
Cob
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HTIP105 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| HTIP107 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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