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参数资料
| 型号： | HTIP112 |
| 厂商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | HTIP112 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE200203
Issued Date : 2000.08.01
Revised Date : 2002.03.28
Page No. : 3/4
HTIP112
HSMC Product Specification
Switching Time & Collector Current
0.1
1
10
1
10
Collector Current-I
C
(A)
S
V
CC
=30V,I
C
=250I
B1
= -250I
B2
Tstg
Tf
Ton
ON Voltage & Collcetor Current
100
1000
10000
100
1000
10000
Collector Current-I
C
(mA)
O
V
BE(ON)
@ V
CE
=3V
25
o
C
75
o
C
125
o
C
Capcitance & Reverse-Biased Voltage
10
100
0.1
1
10
100
Reverse Biased Voltage (V)
C
Cob
Safe Operating Area
0.01
0.1
1
10
1
10
100
Forward Voltage (V)
C
C
PT=1mS
PT=100mS
PT=1S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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