- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录441 > HUF75345S3 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HUF75345S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 325W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S
Electrical Specifications
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified (Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
CAPACITANCE SPECIFICATIONS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C ISS
C OSS
C RSS
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
(Figure 12)
-
-
-
4000
1450
450
-
-
-
pF
pF
pF
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
SYMBOL
V SD
t rr
Q RR
TEST CONDITIONS
I SD = 75A
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
MIN
-
-
-
TYP
-
-
-
MAX
1.25
55
80
UNITS
V
ns
nC
Typical Performance Curves
1.2
80
1.0
60
0.8
0.6
40
0.4
20
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
0.01
SINGLE PULSE
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75542P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| HUF75545S3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA |
| HUF75631P3 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| HUF75639S3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| HUF75645S3S | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75345S3S | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75531SK8 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75531SK8T | 功能描述:MOSFET 6a 80V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。