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参数资料
| 型号： | HUF75345S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 325W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S
Typical Performance Curves
(Continued)
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s, V GS = 10V, I D = 75A
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.0
1.5
1.0
1.0
0.8
0.6
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.4
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
1.3
1.2
I D = 250 μ A
7000
6000
5000
C ISS
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
C OSS ≈ C DS + C GD
1.1
1.0
4000
3000
0.9
2000
1000
C OSS
C RSS
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
V DD = 30V
8
6
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
0
I D = 75A
I D = 55A
I D = 35A
I D = 20A
0
25
50
75
100
125
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75542P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| HUF75545S3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA |
| HUF75631P3 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| HUF75639S3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| HUF75645S3S | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75345S3S | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75531SK8 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75531SK8T | 功能描述:MOSFET 6a 80V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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