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参数资料
| 型号： | HUF75345S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 275nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 325W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S
SPICE Thermal Model
REV 5 February 1999
HUF75345
CTHERM1 th 6 6.3e-3
CTHERM2 6 5 1.5e-2
CTHERM3 5 4 2.0e-2
CTHERM4 4 3 3.0e-2
CTHERM5 3 2 8.0e-2
CTHERM6 2 tl 1.5e-1
RTHERM1 th 6 5.0e-3
RTHERM2 6 5 1.8e-2
RTHERM3 5 4 5.0e-2
RTHERM4 4 3 8.5e-2
RTHERM5 3 2 1.0e-1
RTHERM6 2 tl 1.1e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75345
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 6.3e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 1.5e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 2.0e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 3.0e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 8.0e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.5e-1
rtherm.rtherm1 th 6 = 5.0e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.8e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 5.0e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 8.5e-2
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.0e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 1.1e-1
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75542P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| HUF75545S3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA |
| HUF75631P3 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| HUF75639S3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| HUF75645S3S | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75345S3S | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75345S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75531SK8 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75531SK8T | 功能描述:MOSFET 6a 80V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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