- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录175496 > HY27UG084G2M-UPIP (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HY27UG084G2M-UPIP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, ULGA-52 |
| 文件页数： | 12/53页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | HY27UG084G2M-UPIP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页
Rev 0.5 / Oct. 2005
2
Preliminary
HY27UG(08/16)4G(2/D)M Series
4Gbit (512Mx8bit / 256Mx16bit) NAND Flash
Revision History
-Continued-
Revision
No.
History
Draft Date
Remark
0.4
7) Correct PKG dimension (TSOP PKG)
8) Delete the 1.8V device’s features.
9) Change DC Characteristics (Table 8)
- Operating Current
10) Change AC Characteristics
- Errata is deleted.
- tR is changed.
Sep. 16. 2005 Preliminary
0.5
1) Delete Concurrent Operation.
Oct. 05. 2005 Preliminary
CP
Before
0.050
After
0.100
ICC1
ICC2
ICC3
Typ Max Typ Max Typ Max
Before
20
40
20
40
20
40
After
254525
452545
tWC
tWP
tWH
Before
60ns
35ns
20ns
After
50ns
25ns
15ns
tR
Before
25us
After
30us
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084GDM-TPIS | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| HY5117400BLJ-70 | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27UG088G5B | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088G5M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
| HY27UG088G5M-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27UG088GDB | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088GDM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。