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参数资料
| 型号： | HY27UG084G2M-UPIP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, ULGA-52 |
| 文件页数： | 16/53页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | HY27UG084G2M-UPIP |
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Rev 0.5 / Oct. 2005
23
Preliminary
HY27UG(08/16)4G(2/D)M Series
4Gbit (512Mx8bit / 256Mx16bit) NAND Flash
IO
Page
Program
Block
Erase
Cache
Program
Read
Cache
Read
CODING
0
Pass / Fail
Pass / Fail (N)
NA
Pass: ‘0’ Fail: ‘1’
1
NA
Pass / Fail (N-1)
NA
Pass: ‘0’ Fail: ‘1’
(Only for Cache Program,
else Don’t care)
2NA
NA
-
3NA
NA
-
4NA
NA
-
5
Ready/Busy
P/E/R
Controller Bit
Ready/Busy
P/E/R
Controller Bit
Active: ‘0’ Idle: ‘1’
6
Ready/Busy
Cache Register
Free
Ready/Busy
Busy: ‘0’ Ready’: ‘1’
7
Write Protect
Protected: ‘0’ Not
Protected: ‘1’
Table 13: Status Register Coding
DEVICE IDENTIFIER BYTE
DESCRIPTION
1st
Manufacturer Code
2nd
Device Identifier
3rd
Don't care
4th
Page Size, Block Size, Spare Size, Organization
Table 14: Device Identifier Coding
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084GDM-TPIS | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| HY5117400BLJ-70 | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27UG088G5B | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088G5M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
| HY27UG088G5M-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27UG088GDB | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088GDM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
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