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参数资料
| 型号： | HY27UG084G2M-UPIP |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PBGA52 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, ULGA-52 |
| 文件页数： | 2/53页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | HY27UG084G2M-UPIP |
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Rev 0.5 / Oct. 2005
10
Preliminary
HY27UG(08/16)4G(2/D)M Series
4Gbit (512Mx8bit / 256Mx16bit) NAND Flash
CLE
ALE
CE#
WE#
RE#
WP#
MODE
H
L
Rising
H
X
Read Mode
Command Input
L
H
L
Rising
H
X
Address Input(5 cycles)
H
L
Rising
H
Write Mode
Command Input
L
H
L
Rising
H
Address Input(5 cycles)
LLL
Rising
H
Data Input
LL
L(1)
H
Falling
X
Sequential Read and Data Output
L
H
X
During Read (Busy)
XXXX
XH
During Program (Busy)
XXXX
XH
During Erase (Busy)
XXXX
X
L
Write Protect
XX
H
X
0V/Vcc
Stand By
Table 5: Mode Selection
NOTE:
1. With the CE# don’t care option CE# high during latency time does not stop the read operation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UG084GDM-TPIS | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| HY5117400BLJ-70 | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27UG088G5B | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088G5M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
| HY27UG088G5M-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27UG088GDB | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088GDM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
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