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参数资料
| 型号： | HY27UG084GDM-TPIS |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 14/53页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | HY27UG084GDM-TPIS |
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Rev 0.5 / Oct. 2005
21
Preliminary
HY27UG(08/16)4G(2/D)M Series
4Gbit (512Mx8bit / 256Mx16bit) NAND Flash
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input / Output Capacitance
CI/O
VIL=0V
-
20
pF
Input Capacitance
CIN
VIN=0V
-
20
pF
Table 10: Pin Capacitance (TA=25℃, F=1.0MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
tPROG
-
200
700
us
Dummy Busy Time for Cache Program
tCBSY
-3
700
us
Dummy Busy Time for Cache Read
tRBSY
-5-
us
Dummy Busy Time for the Lock or Lock-tight Block
tLBSY
-5
10
us
Number of partial Program Cycles in the same page
Main Array
NOP
-
4
Cycles
Spare Array
NOP
-
4
Cycles
Block Erase Time
tBERS
-2
3
ms
Table 11: Program / Erase / Read Characteristics
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| HY5117400BLJ-70 | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO |
| HY51V16160BRC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27UG088G5B | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088G5M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
| HY27UG088G5M-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27UG088GDB | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088GDM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
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