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参数资料
| 型号： | HY27UG084GDM-TPIS |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 17/53页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | HY27UG084GDM-TPIS |
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Rev 0.5 / Oct. 2005
24
Preliminary
HY27UG(08/16)4G(2/D)M Series
4Gbit (512Mx8bit / 256Mx16bit) NAND Flash
Description
IO7
IO6
IO5-4
IO3
IO2
IO1-0
Page Size
(Without Spare Area)
1K
2K
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Spare Area Size
(Byte / 512Byte)
8
16
0
1
Serial Access Time
50ns / 30ns
25ns
Reserved
reserved
0
1
0
1
0
1
Block Size
(Without Spare Area)
64K
128K
256K
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Organization
X8
X16
0
1
Table 15: 4th Byte of Device Identifier Description
Part Number
Voltage
Bus Width
Manufacture Code
Device
Code
3rd code 4th code
HY27UG084G2M
3.3V
x8
ADh
DCh
don’t care
15h
HY27UG084GDM
3.3V
x8
ADh
DAh
don’t care
15h
HY27UG164G2M
3.3V
x16
ADh
CCh
don’t care
55h
Table 16: Read ID Data Table
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-55E | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PQCC32 |
| HY5116160CTC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
| HY5116404BSLR-60 | 4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| HY5117400BLJ-70 | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO |
| HY51V16160BRC-70 | 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27UG088G5B | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088G5M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
| HY27UG088G5M-T(P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27UG088GDB | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gb NAND FLASH |
| HY27UG088GDM | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:8Gbit (1Gx8bit) NAND Flash |
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