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参数资料
| 型号： | HY5PS1G421M-C4 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 51/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G421M-C4 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
51
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Ty
T1
Tm
Tm+2
Ty+1
Ty+2
Ty+3
WR
WR
BL=8
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
WRA
WRA
BL=8
PRE
PRE
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
tWTR
tWTR
WR*1
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
WR*1
Write to power down entry
Write with Autoprecharge to power down entry
CK
CK
CK
CK
WL
BL=4
BL=4
WL
WL
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
CK
CK
* 1: WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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