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参数资料
| 型号： | HY5PS1G421M-C4 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 256M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 71/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G421M-C4 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
71
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
For purposes of IDD testing, the following parameters are to be utilized
Detailed IDD7
The detailed timings are shown below for IDD7. Changes will be required if timing parameter changes are made to the specification.
Legend: A = Active; RA = Read with Autoprecharge; D = Deselect
IDD7: Operating Current: All Bank Interleave Read operation
All banks are being interleaved at minimum tRC(IDD) without violating tRRD(IDD) using a burst length of 4. Control and address bus
inputs are STABLE during DESELECTs. IOUT = 0mA
Timing Patterns for 4 bank devices x4/ x8/ x16
-DDR2-400 4/4/4: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D D D D
-DDR2-400 3/3/3: A0 RA0 A1 RA1 A2 RA2 A3 RA3 D D D D
-DDR2-533 5/4/4: A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D D D
-DDR2-533 4/4/4: A0 RA0 D A1 RA1 D A2 RA2 D A3 RA3 D D D D D
DDR2-667
DDR2-533
DDR2-400
Parameter
5-5-5
6-6-6
4-4-4
5-5-5
3-3-3
4-4-4
Units
CL(IDD)
5
6
4
5
3
4
tCK
tRCD(IDD)
15
18
15
18.75
15
20
ns
tRC(IDD)
60
63
60
63.75
55
65
ns
tRRD(IDD)-x4/x8
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
ns
tRRD(IDD)-x16
9
9
10
10
10
10
ns
tCK(IDD)
3
3
3.75
3.75
5
5
ns
tRASmin(IDD)
45
45
45
45
40
45
ns
tRASmax(IDD)
70000
70000
70000
70000
70000
70000
ns
tRP(IDD)
15
18
15
18.75
15
20
ns
tRFC(IDD)-512Mb
105
105
105
105
105
105
ns
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PDF描述 |
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