参数资料
型号: HY5PS1G421M-E3
厂商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分类: DRAM
英文描述: 1Gb DDR2 SDRAM(DDP)
中文描述: 256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63
封装: FBGA-63
文件页数: 6/79页
文件大小: 1109K
代理商: HY5PS1G421M-E3
Rev. 0.2 / Oct. 2005
6
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
1.2 Pin Configuration
1.2.1 256Mx4 DDR2 DDP Pin Configuration
3
VSS
DM
VDDQ
DQ3
VSS
WE
BA1
A1
A5
A9
NC
2
NC
VSSQ
DQ1
VSSQ
VREF
CKE0
BA0
A10/AP
A3
A7
A12
1
VDD
NC
VDDQ
NC
VDDL
NC
VSS
VDD
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
7
VSSQ
DQS
VDDQ
DQ2
VSSDL
RAS
CAS
A2
A6
A11
NC
8
DQS
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
CK
CS0
A0
A4
A8
A13
9
VDDQ
NC
VDDQ
NC
VDD
ODT0
VDD
VSS
CKE1
CS1
ODT1
ROW AND COLUMN ADDRESS TABLE
ITEMS
256Mx4
# of Bank
4
Bank Address
BA0, BA1
Auto Precharge Flag
A10/AP
Row Address
A0 - A13
Column Address
A0-A9, A11
Page size
1 KB
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