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参数资料
| 型号： | HY5PS1G821LM-E3 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| 中文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA63 |
| 封装： | FBGA-63 |
| 文件页数： | 37/79页 |
| 文件大小： | 1109K |
| 代理商： | HY5PS1G821LM-E3 |
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Rev. 0.2 / Oct. 2005
37
1
HY5PS12421(L)M
HY5PS12821(L)M
2.5.5 Write data mask
One write data mask (DM) pin for each 8 data bits (DQ) will be supported on DDR2 SDRAMs, Consistent
with the implementation on DDR SDRAMs. It has identical timings on write operations as the data bits, and
though used in a uni-directional manner, is internally loaded identically to data bits to insure matched sys-
tem timing. DM of x4 and x16 bit organization is not used during read cycles. However DM of x8 bit organi-
zation can be used as RDQS during read cycles by EMRS(1) settng.
Data Mask Timing
DQS/
DQS
DQ
DM
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
Write
CK
CK
COMMAND
DQS/DQS
DQ
DM
Case 2 : max t
DQSS
DQS/DQS
DQ
DM
t
DQSS
t
DQSS
t
WR
Data Mask Function, WL=3, AL=0, BL = 4 shown
Case 1 : min t
DQSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821M | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
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| HY5PS1G421LM | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G421LM-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G821M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G821M-E3 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM(DDP) |
| HY5PS1G831AFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G831AFP-C4 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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